三星开发两款AI专用闪存，分别强化吞吐与随机性能

三星电子正在开发面向人工智能工作负载的多款 NAND 闪存产品。除此前公布的 zNAND-O 外，目前还出现了 zNAND-T 和 zNAND-I 两个新型号，三者分别针对不同类型的 AI 应用需求进行设计。

其中，zNAND-T 中的“T”代表 Throughput，即吞吐量。该产品的设计思路与闪迪、SK 海力士提出的 HBF 概念相近，重点服务数据中心 AI 半导体，目标是提升存储系统的读写带宽表现。其方案采用 TSV 技术堆叠 NAND Die，以改善高带宽场景下的数据传输能力。

zNAND-I 中的“I”则取自 IOPS，代表每秒输入输出操作次数，重点并非连续大块数据传输，而是少量数据被频繁读取和写入时的随机性能。这类需求常见于 AI 推理过程中的 KV Cache 卸载，因此该产品更适合对低延迟、高频访问有较高要求的应用。

配图展示了 zNAND-O 的结构示意。随着 zNAND-T、zNAND-I 等产品出现，三星的 zNAND 产品线正呈现出按负载类型细分的趋势：有的型号侧重吞吐量，有的强调随机访问，还有的面向其他特定需求。这也反映出 NAND 闪存正从面向通用场景的标准化产品，逐步转向针对人工智能及数据中心负载定制的产品形态。