三星计划明年初完成3D Cube-H先进封装开发

三星电子已制定计划，力争在明年初完成先进封装技术3D Cube-H的开发，并推出首个设计套件。相关设计套件完成后，公司将与潜在客户展开评估，推进技术的实际应用。

3D Cube是一种将多颗芯片垂直堆叠的封装方案。与芯片在平面内水平排列的传统结构相比，这种方式能够在相同面积中集成更多晶体管。三星此前已经开发采用热压键合（TC Bonding）的3D Cube-T，目前则在研发使用混合键合（Hybrid Bonding）的3D Cube-H。

3D Cube-H的主要目标应用是超高性能AI芯片。若该技术能够顺利完成开发并实现量产，三星的晶圆代工业务有望借此争取大型客户订单。熟悉相关情况的业内人士表示，三星一直在积极推进面向3D系统级逻辑芯片的混合键合技术，计划在明年初完成第一套设计工具包，随后与潜在客户进行验证和评估。

在连接规格方面，三星正在开发端子间距约为6μm的3D Cube-H。作为对比，目前采用传统热压键合技术的芯片，端子间距至少约为25μm，混合键合方案的间距明显更小，有助于在芯片之间布置更多连接端子。

半导体行业人士指出，混合键合能够显著提高芯片间的连接密度，并降低每比特数据传输所需的能耗。同时，相比热压键合，该技术在散热表现方面也具备一定优势，因此被认为适合用于对算力、带宽和能效要求较高的AI芯片。