三星电机与高通研发有机桥片2.1D封装

三星电机（SEM）正与高通合作开发面向人工智能半导体芯片的2.1D先进封装方案。韩国媒体报道称，双方围绕这一异构集成技术平台的研发和认证工作已持续超过一年，具体产品和量产时间暂未公布。

该封装采用嵌入式有机桥片，整体思路接近英特尔的EMIB技术，但将硅桥片替换为价格更低的有机材料。三星电机和高通此举既有望降低封装制造成本，也能够避开英特尔持有的EMIB相关专利，形成另一条技术路线。

三星电机探索的有机桥片可理解为一种小型衬底，利用RDL（重布线层）工艺构建5至7层微电路。该方案的目标指标包括1.5至2微米的线宽和线距、4至5微米的通孔尺寸，以及每毫米500至1000个图案的密度，重点满足AI芯片对高密度互连的需求。

与传统FC-BGA主要依靠堆叠式电路的方式相比，有机桥片能够提供更精细的布线能力，在芯粒或不同功能芯片之间建立更高密度的连接，从而提升封装的I/O带宽。若后续研发和认证顺利，该技术有望成为AI半导体先进封装中兼顾性能与成本的方案之一。