三星2027年HBM产能售罄，DRAM供应或延续紧张

三星电子在2026年第三季度财报电话会议上表示，2027年的高带宽内存（HBM）产能已经按照预定目标价格全部售出。公司同时预计，2028年整体DRAM内存供应仍将处于紧张状态，显示AI算力需求对存储产业的拉动仍在持续。

2026年第三季度，三星DRAM和NAND的出货容量均实现个位数百分比增长，平均销售价格（ASP）分别上涨20%和接近10%。公司预计第四季度DRAM出货量环比增长15%至20%，NAND出货量增长约15%。尽管存储半导体市场整体仍处于供大于求状态，三星表示近期收到的QLC需求较为集中。

在供货安排方面，三星存储业务已经与10家客户签署长期供货协议（LTA），并正在与另外10家客户洽谈多年期合同。相关客户范围已从传统领域扩展至移动设备、汽车和网络等市场。三星计划通过多年期协议锁定60%至70%的产出，客户对滚动续签的兴趣明显高于预期，部分客户还希望在协议有效期内增加采购数量。

HBM业务方面，三星表示已提前达到让该细分市场份额与整体DRAM市场份额持平的目标。其HBM4在第三季度的销售额环比增长超过3倍，目前已占HBM业务总营收的60%，反映出新一代产品需求正在快速提升。

三星晶圆代工业务也计划增加对韩国和美国晶圆厂的投资，并考虑同步扩充先进封装能力。公司正在评估包括建设更多晶圆厂在内的扩张方案，并预计8纳米以下先进制程的产能利用率将超过100%。